特許
J-GLOBAL ID：201103075000600192

高分子材料の微細構造形成方法、微細構造体

発明者：
長澤 尚胤

長澤 尚胤 について

, 
大島 明博

大島 明博 について

, 
田川 精一

田川 精一 について

, 
鷲尾 方一

鷲尾 方一 について

, 
大久保 聡

大久保 聡 について

, 
玉田 正男

玉田 正男 について


出願人/特許権者：
独立行政法人日本原子力研究開発機構

独立行政法人日本原子力研究開発機構 について

, 
学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について


代理人 (2件)： 堀 城之 ,  前島 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-053172
公開番号（公開出願番号）：特開2011-184626
出願日： 2010年03月10日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】耐熱性の低い高分子材料からなる微細構造体を得る。【解決手段】まず、PLLAの薄膜層を形成する(薄膜形成工程)。その後、このPLLA薄膜層に対してFIB加工を行う(加工工程)。薄膜形成工程においては、まず、PLLAを溶剤中に溶解して希釈した塗布液を製造する(塗布液準備:S1)。次に、この塗布液を基板上に回転塗布する(回転塗布:S2)。次に、FIB装置を用いて、基板上のPLLA薄膜に対して、集束されたイオンビームを照射する(FIB加工:S3)。ここでは、PLLA薄膜層12の厚さを1μm以下となるように設定し、イオンビームの電流を1nA以下となるように設定する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁性の高分子材料からなる構造体を形成する微細構造形成方法であって、 導電性の基板上に、厚さ1μm以下の前記高分子材料からなる薄膜層を形成する薄膜形成工程と、 前記薄膜層に対して、真空中で1nA以下の電流で集束イオンビームを照射して前記薄膜層のエッチング加工を行うことによって、前記構造体を得る加工工程と、 を具備することを特徴とする、高分子材料の微細構造形成方法。
IPC (3件)：
C08J 7/00 ,  B81C 1/00 ,  B23K 15/00
FI (4件)：
C08J7/00 307 ,  C08J7/00 ,  B81C1/00 ,  B23K15/00 508
Fターム (13件)：
3C081AA04 ,  3C081CA02 ,  3C081CA17 ,  3C081CA31 ,  3C081DA10 ,  4E066BA13 ,  4E066BE08 ,  4E066CB18 ,  4F073AA32 ,  4F073BA23 ,  4F073BB01 ,  4F073CA51 ,  5C034DD09
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM