微細構造作製方法及び装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-055976
公開番号（公開出願番号）：特開2006-239787
出願日： 2005年03月01日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】被加工基板に微細な立体構造を形成する際、フォトリソグラフィー工程等を必要とせず、FIBの照射によるスパッタリング手法よりも高能率であり、基板材料の再付着による形状精度の劣化が無く、任意の形状、高さの微細構造物を製作可能な方法を得る。【解決手段】S1では形成すべき凹部の深さに応じてFIBのドーズ量、加速電圧を調整しながら単結晶シリコン(100)面にFIBを照射する。S2ではアセトン、純水を用いた超音波洗浄を行う。S3では単結晶シリコン基板を23°C程度のHF水溶液に浸漬して超音波振動を加えてエッチングし、確認のためにS4でAFMにより形成された構造を観測すると、FIB照射を行った基板表面に高さ数nm程度の凸状の隆起が生じている。この基板をエッチングすると非照射部はエッチングされないのに対して、照射部はエッチングされ、照射条件によって高さの異なる段差が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

照射条件の異なる集束イオンビームを被加工基板上に照射し、湿式エッチングにより照射部を選択的にエッチングする微細構造形成において、被加工基板上に集束イオンビーム照射条件に応じてエッチング深さの異なる加工物を形成することを特徴とする被加工基板の湿式エッチング方法。

IPC (4件)：

B81C 1/00 , B23K 15/00 , G02B 5/18 , H01L 21/306

FI (4件)：

B81C1/00 , B23K15/00 508 , G02B5/18 , H01L21/306 T

Fターム (13件)：

2H049AA31 , 2H049AA37 , 2H049AA44 , 4E066AA02 , 4E066BA13 , 4E066BB01 , 4E066CA15 , 5F043AA02 , 5F043BB04 , 5F043DD17 , 5F043FF01 , 5F043FF05 , 5F043GG10

引用特許：

出願人引用 (1件)

グレイスケールマスク作製法とそれを用いた3次元微細加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-201852 出願人：学校法人慶應義塾

審査官引用 (7件)

特開昭60-128622
特開平2-191326
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-282896 出願人：ソニー株式会社

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