特許

J-GLOBAL ID：201103075132257306

電子デバイスの製造方法および該電子デバイスに用いられる基板

発明者： 浅野 英樹
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-001235
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142168
出願日： 2010年01月06日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：

【課題】可撓性フィルム上に直接機能素子を形成する工程を含む電子デバイスの製造方法を簡易化する。【解決手段】非可撓性基板10と、非可撓性基板10よりも可撓性の高い可撓性フィルム20とを用意し、非可撓性基板10の一面10aの、可撓性フィルム20が貼付される貼付領域11のうち周辺部領域12にのみ接着剤15を付加し、真空条件下において、可撓性フィルム20を非可撓性基板10の一面10aに貼り付け、可撓性フィルム20上の、周辺部領域21を除く中央部領域22の、周辺部領域21に沿った切断領域23より内側に、特定の機能を有する素子を含む構造体5を作製し、構造体5が作製された可撓性フィルム20を、切断領域23で切断して、非可撓性基板10から剥離する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

非可撓性基板と、該非可撓性基板よりも可撓性の高い可撓性フィルムとを用意し、 前記非可撓性基板の一面の、前記可撓性フィルムが貼付される貼付領域のうち周辺部領域にのみ接着剤を付加し、 真空条件下において、前記可撓性フィルムを前記非可撓性基板の前記一面に貼り付け、 前記可撓性フィルム上の、前記周辺部領域を除く中央部領域の、前記周辺部領域に沿った切断領域より内側に、特定の機能を有する素子を含む構造体を作製し、 該構造体が作製された前記可撓性フィルムを、前記切断領域で切断して、前記非可撓性基板から剥離することを特徴とする電子デバイスの製造方法。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/146 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/02

FI (7件)：

H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D ,  H01L27/12 B ,  H01L27/14 C ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/02

Fターム (77件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD17 ,  3K107FF05 ,  3K107GG28 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CB06 ,  4M118CB11 ,  4M118CB20 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB20 ,  4M118GA10 ,  4M118HA27 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE15 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ17

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜積層デバイスの製造方法及び液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-312061   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-044981   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-012610   出願人：ソニー株式会社