特許
J-GLOBAL ID:201103075225436871

複合半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 榊原 弘造
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-197217
公開番号(公開出願番号):特開2001-024143
特許番号:特許第4114902号
出願日: 1999年07月12日
公開日(公表日): 2001年01月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】 両端開口の絶縁樹脂ケース(2)の下端開口部を放熱板(3)の外周に嵌合させ、放熱板(3)上には絶縁基板(4)を介して下側導体パターン(5)が形成され、下側導体パターン(5)上に電子部品(6,7)が搭載・固着されると共に、下側導体パターン(5)と電気的に接続される上側導体パターン(90,91,92,93)を備えた制御回路基板(8)が、絶縁樹脂ケース(2)内の放熱板(3)の上方に配置された複合半導体装置において、 制御回路基板(8)の一端を係止させるための棚受部(14)を絶縁樹脂ケース(2)の内側面に設け、 制御回路基板(8)の一端に切欠部(17)を形成し、 制御回路基板(8)の一端が棚受部(14)上に係止せしめられた時に棚受部(14)の端部と切欠部(17)の端部との間に隙間(18)が形成されるようにし、 絶縁樹脂ケース(2)の側壁内にプラス信号入出力端子(13)をインサートモールドし、プラス信号入出力端子(13)の下端(13b)を、棚受部(14)上のうち、制御回路基板(8)の切欠部(17)が形成されている位置に露出させ、 絶縁樹脂ケース(2)の側壁内にマイナス信号入出力端子(13)をインサートモールドし、マイナス信号入出力端子(13)の下端(13b)を、棚受部(14)上のうち、制御回路基板(8)の切欠部(17)が形成されている位置に露出させ、 第1中継チップ(15)を、棚受部(14)上のうち、制御回路基板(8)の切欠部(17)が形成されている位置に設け、 第2中継チップ(15)を、棚受部(14)上のうち、制御回路基板(8)の切欠部(17)が形成されている位置に設け、 プラス信号入出力端子(13)の下端(13b)と制御回路基板(8)上の導体パターンの一部(90,91)とを第1ボンディングワイヤ(16)によって接続し、 制御回路基板(8)上の導体パターンの一部(90,91)と第1中継チップ(15)とを第2ボンディングワイヤ(16)によって接続し、 第1中継チップ(15)と絶縁基板(4)上の導体パターン(5)とを隙間(18)を介して第3ボンディングワイヤ(16)によって接続し、 絶縁基板(4)上の導体パターン(5)と第2中継チップ(15)とを隙間(18)を介して第4ボンディングワイヤ(16)によって接続し、 第2中継チップ(15)と制御回路基板(8)上の導体パターンの他の一部(92,93)とを第5ボンディングワイヤ(16)によって接続し、 制御回路基板(8)上の導体パターンの他の一部(92,93)とマイナス信号入出力端子(13)の下端(13b)とを第6ボンディングワイヤ(16)によって接続し、 それにより、信号が、プラス信号入出力端子(13)から、制御回路基板(8)上の導体パターンの一部(90,91)、第1中継チップ(15)、絶縁基板(4)上の導体パターン(5)、第2中継チップ(15)および制御回路基板(8)上の導体パターンの他の一部(92,93)を介してマイナス信号入出力端子(13)に流れる閉回路を構成したことを特徴とする複合半導体装置。
IPC (2件):
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 25/04 C
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-175971   出願人:株式会社東芝
  • 特開平2-181492
  • 特開平4-354359
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審査官引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-175971   出願人:株式会社東芝
  • 特開平2-181492
  • 特開平4-354359
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