CVD装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：岩田今日文 , 瀬戸さより
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190398
公開番号（公開出願番号）：特開2002-080968
特許番号：特許第4650919号
出願日： 2001年06月22日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空容器内でプラズマを生成して活性種を発生させ、この活性種と材料ガスとで基板に成膜を行うCVD装置であり、真空容器の内部を二室に隔離する導電性隔壁部が真空容器内に設けられており、隔離された前記二室のうち、一方の室の内部は高周波電極が配置されたプラズマ生成空間として、他方の室の内部は基板を搭載する基板保持機構が配置された成膜処理空間としてそれぞれ形成されており、前記導電性隔壁部は、前記プラズマ生成空間と前記成膜処理空間を通じさせる複数の貫通孔を有していると共に、前記プラズマ生成空間から隔離されかつ前記成膜処理空間と複数の拡散孔を介して通じている内部空間を有し、前記導電性隔壁部の内部空間に外部から供給された材料ガスが前記複数の拡散孔を通して前記成膜処理空間に導入されると共に、前記高周波電極に高周波電力を与えて前記プラズマ生成空間でプラズマ放電を発生させることにより前記プラズマ生成空間で生成された活性種が、前記導電性隔壁部の複数の貫通孔を通して前記成膜処理空間に導入されるCVD装置において、前記貫通孔は、成膜処理空間側の孔径が、プラズマ生成空間側の孔径より大きくなるように形成されていることを特徴とするCVD装置。

IPC (2件)：

C23C 16/455 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 16/455 , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071213 出願人：日新電機株式会社
特開平3-197684
シャワープレート
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-078162 出願人：株式会社東芝

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