プラズマ処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128072
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323457
特許番号：特許第3854747号
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ゲート酸化膜を含む被処理ウエハを、電極母材および表面材から構成される電極に設置して処理を行うプラズマエッチング処理装置において、前記表面材の前記被処理ウエハ外周部に対応する部分のみを、リング状に他の部分よりも厚く形成することにより前記被処理ウエハ外周部に対応する部分のみインピーダンスを大きくしたことを特徴とするプラズマエッチング処理装置。

IPC (1件)：