特許
J-GLOBAL ID：200903087813965139

エッチング方法

発明者：
川本 英明

川本 英明 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-252747
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098046
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路の配線として用いられる積層アルミニウム膜のプラズマエッチングにおいて、アルミニウム合金膜が配線として分離されるまでは、密度分布がウェハ中央で高くウェハ周辺で低いプラズマを用い、配線分離後密度分布が均一なプラズマを用い引き続きエッチングを行い配線形成を行うことにより、チャージアップによる素子破壊がなく、かつアルミのエッチング速度の面内均一性を向上させた配線エッチングを行う。【解決手段】 本発明は、積層アルミニウム合金膜のプラズマエッチングにおいて、エッチング装置としてプラズマ密度分布の調節できるエッチング装置を用い、アルミニウム合金膜が配線として分離されるまでは、密度分布がウェハ中央で高くウェハ周辺で低いプラズマを用い、配線分離後密度分布が均一なプラズマを用い引き続きエッチングを行い配線形成を行う。これにより、チャージアップによる素子破壊がなく、かつアルミのエッチング速度の面内均一性を向上させた配線エッチングを行うことができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上の導電体をプラズマによってエッチングするエッチング方法において、密度分布がウェハ中央部で高く、ウェハ周辺部で低いプラズマを用いてエッチングを行う第1の工程と、第1時点から均一な密度分布を持つプラズマを用いてエッチングを行う第2のエッチング工程とを有することを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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