特許

J-GLOBAL ID：201103076149250387

半導体基板の洗浄処理及びウェットエッチング処理を同時に行う方法

発明者： 三田村 承史 ,  丸山 岳人 ,  阿部 久起 ,  青山 哲男
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社
代理人 (1件)： 大谷 保
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-267978
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075959
特許番号：特許第3533366号
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 少なくとも、アルミニウム/チタニウム積層膜から成るソース/ドレイン電極と前記ソース/ドレイン電極上に形成された絶縁膜とを有する半導体基板の前記絶縁膜をドライエッチングしてコンタクトホールを形成した後、前記半導体基板を酸化剤とキレート剤とを含有する水溶液から成るウェットエッチング液に接触させて、前記ドライエッチング時に発生したコンタクトホ-ル内の残渣物の洗浄を行うと同時に前記ソース/ドレイン電極のアルミニウム膜のみをウェットエッチングすることを特徴とする半導体基板の洗浄処理とウェットエッチング処理とを同時に行う方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/20 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

C23F 1/20 ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/302 102

引用特許：

出願人引用 (3件)

• レジスト残渣除去剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-334202   出願人：岸本産業株式会社
• 特開昭64-015740
  
• フォトレジストアッシング残滓洗浄剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-373463   出願人：株式会社トクヤマ