特許
J-GLOBAL ID:201103076263321286

銅及び銅合金のはんだ付け方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-299272
公開番号(公開出願番号):特開2002-105662
特許番号:特許第4647073号
出願日: 2000年09月29日
公開日(公表日): 2002年04月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】銅及び銅合金の表面を、化1ないし化6で示されるイミダゾール化合物から選ばれる少なくとも1つの化合物と、銀イオンを含有する水溶液に接触させて化成被膜を形成させた後、銅及び銅合金の表面を無鉛はんだを用いてはんだ付けを行うことを特徴とする銅及び銅合金のはんだ付け方法。 (式中、R1、R2及びR3は同一あるいは異なって水素原子、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はハロゲン原子を表わす。但し、R1、R2及びR3が同一に水素原子である場合を除く。) (式中、R1、R2、R3及びR4は同一あるいは異なって水素原子、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はハロゲン原子を表わす。nは0〜8の整数を表わす。) (式中、R1及びR2は同一あるいは異なって水素原子、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はハロゲン原子を表わす。nは0〜8の整数を表わす。) (式中、R1、R2及びR3は同一あるいは異なって水素原子、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はハロゲン原子を表わす。但し、R1、R2及びR3が同一に水素原子である場合を除く。) (式中、R1、R2、R3及びR4は同一あるいは異なって水素原子、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はハロゲン原子を表わす。nは0〜8の整数を表わす。) (式中、R1、R2、R3、R4及びR5は同一あるいは異なって水素原子、炭素数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はハロゲン原子を表わす。nは0〜8の整数を表わす。)
IPC (3件):
C23C 22/52 ( 200 6.01) ,  C23C 22/78 ( 200 6.01) ,  C23C 22/83 ( 200 6.01)
FI (3件):
C23C 22/52 ,  C23C 22/78 ,  C23C 22/83
引用特許:
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る