特許
J-GLOBAL ID：201103076652599311

半導体製造方法および半導体製造装置

発明者：
平田 博信

平田 博信 について


出願人/特許権者：
株式会社ニューフレアテクノロジー

株式会社ニューフレアテクノロジー について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-152115
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009500
出願日： 2009年06月26日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】本発明は、ウェーハの跳ね現象を抑え、ウェーハ上に均一に成膜を行うとともに、歩留り、生産性の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造方法は、反応炉内にウェーハを搬入し、上昇させた突き上げシャフト上にウェーハを載置し、ウェーハの中心部と外周部が所定範囲の温度差となるように、ウェーハを加熱するためのインヒータと、ウェーハの外周部を加熱するためのアウトヒータを、第1の位置に配置して、突き上げシャフト上のウェーハを、インヒータおよびアウトヒータにより昇温し、突き上げシャフトを下降させて、保持部材上にウェーハを保持し、ウェーハの中心部と外周部の温度が実質均一となるように、インヒータおよびアウトヒータを第2の位置に配置して、保持部材上の前記ウェーハを所定の温度で加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応炉内にウェーハを搬入し、 上昇させた突き上げシャフト上に前記ウェーハを載置し、 前記ウェーハの中心部と外周部が所定範囲の温度差となるように、前記ウェーハを加熱するためのインヒータと、前記ウェーハの外周部を加熱するためのアウトヒータを、第1の位置に配置して、前記突き上げシャフト上の前記ウェーハを、前記インヒータおよび前記アウトヒータにより昇温し、 前記突き上げシャフトを下降させて、保持部材上に前記ウェーハを保持し、 前記ウェーハの中心部と外周部の温度が実質均一となるように、前記インヒータおよび前記アウトヒータを第2の位置に配置して、前記保持部材上の前記ウェーハを所定の温度で加熱し、 前記ウェーハを回転させ、 前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することを特徴とする半導体製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/68 N
Fターム (39件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031GA02 ,  5F031GA48 ,  5F031HA02 ,  5F031HA37 ,  5F031HA39 ,  5F031HA58 ,  5F031HA59 ,  5F031JA46 ,  5F031LA07 ,  5F031LA15 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031NA05 ,  5F031NA09 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EK22 ,  5F045EK23
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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