半導体製造装置および半導体製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-226419
公開番号（公開出願番号）：特開2009-059934
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】本発明は、ウェーハ上に均一に成膜することができ、ガス使用量の低減を図るとともに、反応炉内のダストの発生を抑え、歩留の低下を抑えることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応炉11と、反応炉11にプロセスガスを供給するためのガス供給機構13と、反応炉11よりプロセスガスを排出するためのガス排出機構14と、ウェーハwをその外周部において保持するためのホルダー16と、ウェーハwを下部より加熱するためのヒータ18a、18bと、ウェーハwを回転させるための回転機構15と、ガスをウェーハw上に供給するために設けられ、着脱可能な整流板12と、ウェーハwおよび整流板12を、反応炉11に搬入あるいは反応炉11より搬出するために、前記反応炉の側面に設けられ、開閉可能なゲート21を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ウェーハが導入される反応炉と、前記反応炉にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、前記反応炉より前記プロセスガスを排出するためのガス排出機構と、前記ウェーハをその外周部において保持するためのホルダーと、前記ウェーハを下部より加熱するためのヒータと、前記ウェーハを回転させるための回転機構と、前記ガスを前記ウェーハ上に供給するために設けられ、着脱可能な整流板と、前記ウェーハおよび前記整流板を、前記反応炉に搬入あるいは前記反応炉より搬出するために、前記反応炉の側面に設けられ、開閉可能なゲートを備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/455

Fターム (24件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030EA04 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC05 , 5F045AC19 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ17 , 5F045EF14 , 5F045EN08 , 5F045HA24

引用特許：

出願人引用 (7件)

熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-061808 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体用製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066069 出願人：日本電気株式会社
シリコン半導体基板の化学的気相薄膜成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-259178 出願人：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社

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審査官引用 (6件)

半導体用製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066069 出願人：日本電気株式会社
シリコン半導体基板の化学的気相薄膜成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-259178 出願人：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-261016 出願人：日本真空技術株式会社

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