特許
J-GLOBAL ID：201103076865111150
半導体チップ及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田下 明人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219250
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174051
特許番号：特許第4416875号
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体チップの電極パッド側に、第1の絶縁層と導体回路層と第2の絶縁層が順に積層されてなり、
前記第1の絶縁層は、半導体チップの電極パッドと導体回路層を電気的に接続するインナービアが形成されており、
前記第2の絶縁層は、軟質絶縁層であって、導体回路層に至る非貫通孔が設けられてなり、その非貫通孔には銅めっきによりフィルドビアが形成され、
前記インナービアは、前記電極パッドにニッケルと銅の複合めっき層を介して銅めっきが形成されてなることを特徴とする半導体チップ。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 604 D
, H01L 21/60 311 S
