特許
J-GLOBAL ID：201103077083054839
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269424
特許番号：特許第4011226号
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 層間絶縁膜を貫いて形成され、下端部がトランジスタのソース及びドレイン領域の一方と接続され、上端部の表面の一部に、前記上端部の構成金属元素を含む酸化物膜を有するコンタクトプラグと、
下面が前記層間絶縁膜及び前記コンタクトプラグの上端部の表面の前記酸化物膜の存在しない他部に跨って設けられた金属膜、及び前記金属膜の構成元素を含み、前記下面を除いて前記金属膜を被う第1の導電性酸化物を有する第1のキャパシタ電極と、
前記第1の導電性酸化物の表面、及び前記酸化物膜の表面に形成されたキャパシタ絶縁膜と、
前記キャパシタ絶縁膜を挟んで前記第1のキャパシタ電極と対向して形成された第2の導電性酸化物を有する第2のキャパシタ電極と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 Z
