特許
J-GLOBAL ID：201103077145119240
P型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びP型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 孝治 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-337175
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156003
特許番号：特許第3497790号
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 減圧気相成長法によってP型不純物をドーピングしたGaN系化合物半導体層を形成した後、その上に、Zn又はN型GaNからなる数十Å程度の膜を400°C以上で形成し、減圧不活性ガス雰囲気下で降温させることを特徴とするP型窒化ガリウム系半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
