特許
J-GLOBAL ID：201103078118679850

半導体装置の製造方法

発明者：
小澤 良夫

小澤 良夫 について

, 
堀田 正樹

堀田 正樹 について

, 
犬宮 誠治

犬宮 誠治 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122475
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315768
特許番号：特許第3983923号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンからなり、角部を有する立体パターンを形成する工程であって、前記立体パターンは、第1の領域を有する上面および第2の領域を有する側面を備え、前記第1の領域と前記第2の領域との間の角の領域が前記角部である前記工程と、 前記立体パターンの前記角部を含む領域にシリコン酸化膜を形成する工程であって、前記第1および第2の領域に比べて前記角部での前記シリコン酸化膜の薄膜化が生じないように、前記立体パターンの前記角部を含む領域をオゾンまたは酸素ラジカルを含む雰囲気で酸化して前記シリコン酸化膜を形成する工程と、 前記シリコン酸化膜上に導電膜を形成する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 625 A ,  H01L 21/316 A
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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