特許
J-GLOBAL ID：201103078156944559

窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイス

発明者：
藤倉 序章

藤倉 序章 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (7件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  今 智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-186612
公開番号（公開出願番号）：特開2011-037666
出願日： 2009年08月11日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：
【課題】窒化物半導体単結晶の破壊の原因になる亀裂(クラック)が生じにくい窒化物半導体自立基板、窒化物半導体自立基板の製造方法、及び窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】直径が40mm以上、厚さが100μm以上の窒化物半導体単結晶を準備しS10,S20、前記窒化物半導体単結晶の表面と、裏面と、側面との全体を保護膜で被覆して被覆基板を形成するS30。前記被覆基板を1300°Cより高い温度下において20時間以上の熱処理S40を施した後、前記被覆基板から前記保護膜を除去して窒化物半導体自立基板を形成するS50。これにより、直径が40mm以上、厚さが100μm以上であり、転位密度が5×106/cm2以下であり、不純物濃度が4×1019/cm3以下であり、最大荷重が1mN以上50mN以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが19.0GPa以上である窒化物半導体自立基板。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
直径が40mm以上、厚さが100μm以上であり、転位密度が5×106/cm2以下であり、不純物濃度が4×1019/cm3以下であり、最大荷重が1mN以上50mN以下の範囲内におけるナノインデンテーション硬さが19.0GPa以上である窒化物半導体自立基板。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/32
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B33/02 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 186
Fターム (21件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB03 ,  4G077BE15 ,  4G077FE07 ,  4G077FE18 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045DB06 ,  5F045GH08 ,  5F045HA16
引用特許：
審査官引用 (4件)
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