特許
J-GLOBAL ID：200903085875558855
III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶基板およびIII族窒化物半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-182709
公開番号（公開出願番号）：特開2009-018961
出願日： 2007年07月12日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】転位密度が低く不純物濃度の低いIII族窒化物結晶をその結晶を破損させることなく製造する方法を提供する。【解決手段】反応容器7のGa-Na-Li融液2に窒素ガス(窒素含有ガス3)を溶解させて、GaN下地基板1の主面1m上に厚さ100μmのGaN結晶を成長させた(a)。つづいて、反応容器7に金属Naをいれ、加熱により結晶処理用液体4であるNa融液を形成した後、窒素ガス(窒素含有ガス3)を溶解させて、GaN結晶(III族窒化物結晶10)の熱処理を行なった。この結果、結晶の表面に荒れが起こったものの、結晶の破損には至らず、またGaN結晶(III族窒化物結晶10)およびGaN下地基板1の不純物濃度は、Na濃度が5×1015cm-3と熱処理前のNa濃度と同様であったのに対し、Li濃度が3×1016cm-3と熱処理前のLi濃度に比べて大幅に低減した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
液相法により、III族元素と前記III族元素の溶媒として少なくとも1種類の金属元素とを含む結晶成長用液体を用いて、III族窒化物結晶を成長させる工程と、
前記金属元素の少なくとも1種類を含む結晶処理用液体中で前記III族窒化物結晶を熱処理する工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38
, C30B 9/00
, C30B 33/02
, H01L 33/00
C30B29/38 D
, C30B9/00
, C30B33/02
, H01L33/00 C
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB09
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077FE02
, 4G077FE09
, 5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA64
