特許

J-GLOBAL ID：200903055375574521

高品質ホモエピタキシ用微傾斜窒化ガリウム基板

発明者： ヴァウド,ロバート,ピー. ,  スー,シュエピン ,  フリン,ジェフリー,エス. ,  ブランデス,ジョージ,アール.
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-539971
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534159
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【数1】方向または【数2】方向に主に向かう<0001>方向から、約0.2〜約10度の範囲のオフカット角度でオフカットされた(0001)表面を含むIII-V族窒化物、例えばGaN基板。表面が50×50μm2AFM走査により測定された1nm未満のRMS粗さと、3E6cm-2未満の転位密度とを有する。この基板は相当するブールまたはウェハブランクのオフカットスライスにより、オフカットラッピングまたは相当する微傾斜へテロエピタキシャル基板、例えばオフカットサファイア上の基板本体の成長により形成することができる。この基板はIII-V族窒化物系超小型電子および光電子デバイスの作製におけるホモエピタキシャル蒸着に有用に用いられる。

請求項（抜粋）：

方向からなる群から選択される方向に主に向かう<0001>方向から、約0.2〜約10度の範囲のオフカット角度でオフカットされたGaN(0001)表面を含み、前記表面が50×50μm2AFM走査により測定された1nm未満のRMS粗さと、3E6cm-2未満の転位密度とを有するGaN基板。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D

Fターム (22件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077FG12 ,  4G077FG13 ,  4G077FG16 ,  4G077GA02 ,  4G077GA03 ,  4G077HA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61

引用特許：

審査官引用 (5件)

• オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム((Al,In,Ga)N)自立基板のエピタキシー品質(表面凹凸および欠陥密度)の改良を実現する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-505658   出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• GaN単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板、窒化物系半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-137722   出願人：住友電気工業株式会社, インスティテュートオブマテリアルズリサーチアンドエンジニアリング
• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-192721   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022181   出願人：三洋電機株式会社
• GaN系化合物半導体エピウェハ及びそれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-161782   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Preparation of large freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy using GaAs as a star