特許
J-GLOBAL ID：201103078302312225
レーザアニール装置およびレーザアニール方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-272644
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119297
出願日： 2009年11月30日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】熱容量の大きな厚いシリコンウエハなどの基板において不純物の活性化処理などの熱処理をレーザアニールにより効果的に行うことを可能にする。【解決手段】基板30表面を熱処理するレーザアニール装置1であって、立ち上がり時間が緩やかでパルス幅の長いパルスレーザを発生するパルス発振レーザ光源10と、アニールをアシストする近赤外レーザを発生する連続発振レーザ光源20と、前記2種類のレーザのビーム15、25をそれぞれ整形して前記基板30表面に照射するべく導く光学系12、22と、前記基板30と前記レーザビーム15、25を相対的に移動させて前記2種類のレーザビームの複合照射の走査を可能にする移動装置3を備え、光侵入長と熱拡散長を十分に確保して熱容量の大きな厚い半導体基板における不純物を深くまで活性化できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板表面を熱処理するレーザアニール装置であって、立ち上がり時間が緩やかでパルス幅の長いパルスレーザを発生するパルス発振レーザ光源と、アニールをアシストする近赤外レーザを発生する連続発振レーザ光源と、前記2種類のレーザのビームをそれぞれ整形して前記基板表面に複合照射するべく導く光学系と、前記基板と前記レーザビームを相対的に移動させて前記2種類のレーザビーム照射の走査を可能にする移動装置とを備えることを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (2件)：
H01L 21/268
, H01L 21/265
H01L21/268 G
, H01L21/268 J
, H01L21/265 602C
