特許
J-GLOBAL ID：200903012350176555

半導体薄膜の製造方法、その製造方法により得られる半導体薄膜、その半導体薄膜を用いる半導体素子および半導体薄膜の製造装置

発明者：
谷口 仁啓

谷口 仁啓 について

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綱沢 啓

綱沢 啓 について

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関 政則

関 政則 について

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乾 哲也

乾 哲也 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379707
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207691
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】 レーザ光の照射による前駆体半導体薄膜の1回の溶融再結晶化により得られる半導体結晶のラテラル成長距離を長くして、良質の多結晶半導体領域を有する半導体薄膜を効率よく製造することのできる、半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 前駆体半導体薄膜を溶融させる第一のレーザ光(主ビーム)と、第一のレーザ光によって溶融した前記前駆体半導体薄膜の凝固を制御する第二のレーザ光(副ビーム)を、いずれも前記前駆体半導体薄膜に略同時に照射する。このとき、前記第一のレーザ光の照射領域と同等以上の面積とを有する第二のレーザ光が、少なくとも前記前駆体半導体薄膜が溶融している間、前記第一のレーザ光を包含する位置に照射される。なお、第一のレーザ光は固体状態の前記前駆体半導体膜に吸収される波長を有し、第二のレーザ光は液体状態の前記前駆体半導体薄膜に吸収される波長を有する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
前駆体半導体薄膜にパルス放射するエネルギビームを照射し、前記前駆体半導体薄膜の少なくとも一部を厚さ方向全域にわたって、溶融、凝固させて結晶化を行うことによる半導体薄膜の製造方法であって、 固体状態にある前記前駆体半導体薄膜を設定された第一照射領域において溶融させるエネルギ量を有する第一のレーザ光を、前記前駆体半導体薄膜の前記第一照射領域に照射することにより、固体状態にある前記前駆体半導体薄膜の前記第一照射領域を溶融させて液体状態にするステップと、 固体状態にある前記前駆体半導体薄膜を前記第一照射領域において溶融させないエネルギ量を有する前記第二のレーザ光を、前記前駆体半導体薄膜の前記第一照射領域を包含する第二照射領域に照射した状態で、液体状態にある前記前駆体半導体薄膜の前記第一照射領域を、再結晶化させて半導体薄膜の多結晶半導体領域を得るステップと、 を備える、半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (3件)：
H01L21/20 ,  H01L21/268 J ,  H01L29/78 627G
Fターム (36件)：
5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA11 ,  5F052BA12 ,  5F052BA14 ,  5F052BA15 ,  5F052BB02 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052EA06 ,  5F052FA27 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP10 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (14件)
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