特許
J-GLOBAL ID：201103078348124440
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-208820
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026322
特許番号：特許第4655340号
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体層(2)を一主面側に有する半導体基板(1)を用意し、セル形成領域に対応し前記半導体層の表面の所定領域を選択酸化して選択酸化膜(25)を形成する工程と、
前記選択酸化膜の側面に接する前記半導体層表面にチャネル(6)を形成すべく、前記選択酸化膜をマスクにして第2導電型のベース領域(4)と第1導電型のソース領域(5)とを形成する工程と、
前記選択酸化膜を除去して前記半導体層の表面に溝(3)を形成する工程と、
前記チャネルとなる部分を含む前記溝の内壁にゲート絶縁膜(7)とし、該ゲート絶縁膜上にゲート電極(8)を形成する工程と、
前記ゲート電極上に層間絶縁膜(10)を形成する工程と、
前記層間絶縁膜を所望の厚さにする工程と、
続いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、コンタクト穴(13)を形成する工程と、
個々のセルにおいて前記層間絶縁膜の上を含み前記ベース領域と前記ソース領域とに接触するように、複数のセルの上部に渡ってソース電極(12)を形成する工程と、
前記半導体基板のうち前記半導体層の反対側にドレイン電極(14)を形成する工程とを有し、
前記コンタクト穴を形成する工程では、前記層間絶縁膜を等方性エッチングした後に前記層間絶縁膜を異方性エッチングして、前記コンタクト穴を形成し、前記等方性エッチングした部位と前記異方性エッチングした部位とによって、前記層間絶縁膜のうち前記コンタクト穴が形成された端部に段差を設け、
前記ソース領域と前記ソース電極との界面を含む面をコンタクト部表面とし、前記層間絶縁膜のうち前記コンタクト部表面から最も距離のある部位を含み、前記コンタクト部に略平行な面を層間絶縁膜最上面とし、前記コンタクト部表面と前記層間絶縁膜最上面との距離をL6とし、前記層間絶縁膜の端部のうち異方性エッチングされた距離をL1とし、等方性エッチングされた距離をL2とし、前記層間絶縁膜のうちの前記異方性エッチングされた部位と前記ソース電極との界面から、前記ゲート電極の端部までの距離をL3とする場合、
前記層間絶縁膜を所望の厚さにする工程において、L6≦2・L3とし、前記コンタクト穴を形成する工程において、L3≧L2≧L1とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 658 F
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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