結晶系太陽電池の製造における処理方法及び処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：浜野孝雄 , 平井輝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-181627
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035262
出願日： 2009年08月04日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】スライス時に生じる基板のダメージ層の除去からテクスチャー形成工程を一括してドライエッチングにより処理する処理方法及び処理装置を提供する。【解決手段】真空処理チャンバ内に、結晶系太陽電池の製造に用いられるエッチング処理すべき基板の装着される基板電極を設け、基板電極に装着した基板をエッチング処理するようにしたドライエッチング処理において、基板の表面のスライス時に生じたダメージ層を除去する工程と、ダメージ層を除去した基板の表面にテクスチャーを形成する工程とを真空処理チャンバ内で連続して行うように構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空処理チャンバ内に、結晶系太陽電池の製造に用いられるエッチング処理すべき基板の装着される基板電極を設け、基板電極に装着した基板をエッチング処理するようにしたドライエッチング処理方法において、基板の表面のスライス時に生じたダメージ層を除去する工程と、ダメージ層を除去した基板の表面にテクスチャーを形成する工程とを連続して行うことを特徴とするドライエッチング処理方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 H

Fターム (8件)：

5F051AA02 , 5F051CB22 , 5F051GA04 , 5F051GA15 , 5F151AA02 , 5F151CB22 , 5F151GA04 , 5F151GA15

引用特許：

審査官引用 (8件)

太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-170859 出願人：シャープ株式会社
太陽電池用基板の粗面化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-293030 出願人：京セラ株式会社
太陽電池用基板の粗面化法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-392774 出願人：京セラ株式会社

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