半導体受光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋勇
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233734
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046114
特許番号：特許第4058921号
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】光吸収層と、アバランシェ増倍層と、を備え、前記光吸収層は、キャリア濃度が1×1016cm-3以下である空乏化層と、キャリア濃度が1×1016cm-3〜1×1019cm-3である空乏化終端層と、を備え、前記空乏化終端層のキャリア濃度は、前記空乏化層に向かって連続あるいは段階的に変化しており、前記空乏化終端層の電子が前記空乏化層に向かって加速する擬似電界を発生し、前記空乏化終端層の膜厚は、1μm未満であることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：