特許
J-GLOBAL ID：201103079108075332

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
戸板 真人

戸板 真人 について


出願人/特許権者：
旭化成マイクロシステム株式会社

旭化成マイクロシステム株式会社 について


代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-312654
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124457
特許番号：特許第3628291号
出願日： 2001年10月10日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1のポリシリコン層と、第2のポリシリコン層と、前記第1及び第2のポリシリコン層の界面の一部領域に局所的にシリコン酸化物として凝集された膜厚が0.1〜6nmのシリコン酸化膜とを含み、前記第1及び第2のポリシリコン層とを接合させて構成したポリシリコンゲート電極を備えた半導体装置であって、前記第1のポリシリコン層及び前記第2のポリシリコン層の平均結晶粒径は50nm〜200nmであり、かつ、隣接する結晶格子同士の結晶方位が互いに異なり、前記ポリシリコンゲート電極の抵抗値を制御するために前記第2のポリシリコン層中に注入されたイオンの打ち込み深さがその面内で均一であり、かつ前記イオンは前記第1のポリシリコン層下のシリコン基板にまで注入されていないことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/43
FI (5件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 ,  H01L 29/46 ,  H01L 21/265 U ,  H01L 21/265 P
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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