特許

J-GLOBAL ID：201103079224229231

SiGeC半導体結晶及びその製造方法

発明者： 齋藤 徹 ,  神澤 好彦 ,  能澤 克弥 ,  久保 実
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-571476
特許番号：特許第4077629号
出願日： 2001年03月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に、Si、GeおよびCの原料とともにキャリア用不純物の原料を供給することにより、前記基板上にキャリア用不純物が添加されたSi1-x-yGexCy(0<x<1、0.01≦y<1)で表される組成を有するSiGeC半導体結晶をエピタキシャル成長させるステップ(a)と、 前記ステップ(a)の後に、前記SiGeC半導体結晶中のキャリア用不純物を活性化させるための熱処理を施すステップ(b)とを含むSiGeC半導体結晶の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/161 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/324 ( 200 6.01) ,  H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/161 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 X ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置及びこれを用いた電子計算機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-282185   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-118597   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• International Electron Devices Meeting Technical Digest, 19961208, pp.249-252