特許

J-GLOBAL ID：201103079250772482

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 市原 玲華 ,  菅野 裕士 ,  塚本 隆之 ,  室岡 賢一 ,  井上 裕文
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-183699
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040112
出願日： 2009年08月06日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】本発明は、誤書き込みの危険性を増すことなく、データ消去特性のばらつきを抑えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、複数の第1の配線、前記複数の第1の配線に交差する複数の第2の配線、並びに前記複数の第1及び第2の配線の各交差部に配置された可変抵抗素子からなる複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、所定の前記メモリセルを選択し、この選択メモリセルへのアクセス経路長に応じて指数関数的にパルス幅を増減させたデータ消去のための消去パルスを生成し、この選択メモリセルに供給する制御手段とを備えることを特徴とする。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

複数の第1の配線、前記複数の第1の配線に交差する複数の第2の配線、並びに前記複数の第1及び第2の配線の各交差部に配置された可変抵抗素子からなる複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、 所定の前記メモリセルを選択し、この選択メモリセルへのアクセス経路長に応じて指数関数的にパルス幅を増減させたデータ消去のための消去パルスを生成し、この選択メモリセルに供給する制御手段と を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (14件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 記憶装置及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-285714   出願人：ソニー株式会社
• 相変化メモリ装置及びそのライティング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-029813   出願人：三星電子株式会社