気相成長装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 松冨豊 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343943
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160538
特許番号：特許第3613099号
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】反応室内に配置されるウェーハ保持体に半導体ウェーハが搭載され、前記反応室内にガスを供給することにより前記半導体ウェーハの表面上に薄膜を形成させる気相成長装置において、前記ウェーハ保持体は、前記半導体ウェーハを搭載する複数の平面部と互いに隣接する前記平面部間の角部とで外周面が構成され、前記反応室内には、前記ガスが前記ウェーハ保持体の軸方向に流れる流動箇所が形成され、前記ウェーハ保持体を前記反応室内で回転させる駆動手段と、前記ウェーハ保持体の周方向における前記薄膜の成長速度分布に応じて、前記ガスの流動箇所を前記ウェーハ保持体の平面部が通過するときと角部が通過するときとで、前記ガスの流れを乱しやすい前記角部が前記流動箇所を通過するときに回転速度を大きくするように前記ウェーハ保持体の回転速度を変化させる制御手段とを備えることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/458

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/458

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭53-058761
薄膜形成方法及び薄膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-150728 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
特開昭60-215594

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審査官引用 (4件)

特開昭53-058761
特開昭60-215594
特開平1-242487

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