特許

J-GLOBAL ID：201103079338152107

半導体発光装置

発明者： 石田 昌宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339049
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156327
特許番号：特許第4163833号
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 GaNからなる基板と、 前記基板の上に形成され、ヒ素又はリンを含む第2のIII-V族化合物半導体からなる活性層とを備え、 前記第2のIII-V族化合物半導体は、AlxGa1-xAs(但し、xは0≦x≦1である)からなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ( 200 6.01) ,  H01S 5/323 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006368   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 短波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-085282   出願人：富士写真フイルム株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-006368   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 短波長発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-085282   出願人：富士写真フイルム株式会社