特許
J-GLOBAL ID：201103079454952528
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315122
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124485
特許番号：特許第4260352号
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】処理室内で、第1の高周波電力を印加してアルゴンプラズマを励起し、第2の高周波電力を半導体基板に印加して前記半導体基板上に形成された凹部底面のコンタクト領域または拡散層領域に対しアルゴンプラズマ処理を行うことにより、前記コンタクト領域または拡散層領域の表面に存在する絶縁膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記アルゴンプラズマ処理は、前記第1の高周波電力の印加を前記第2の高周波電力の印加よりも早くし、かつ前記第2の高周波電力によって前記半導体基板に印加されるセルフバイアス電圧の絶対値を100V以上にして行い、及び前記第1の高周波電力を印加する際のアルゴン圧力は1.33322×10-1Pa以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 21/28 A
, H01L 21/90 C
, H01L 21/302 102
