特許
J-GLOBAL ID:201103080033918426
薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
上代 哲司
, 神野 直美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-266406
公開番号(公開出願番号):特開2011-113662
出願日: 2009年11月24日
公開日(公表日): 2011年06月09日
要約:
【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、前記金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有していることを特徴とする薄膜超電導線材用金属基材。
IPC (3件):
H01B 12/06
, H01B 13/00
, C01G 1/00
FI (3件):
H01B12/06
, H01B13/00 565D
, C01G1/00 S
Fターム (16件):
4G047JA04
, 4G047JA05
, 4G047JC02
, 4G047KE02
, 4G047KG01
, 4G047KG04
, 5G321AA02
, 5G321AA04
, 5G321BA01
, 5G321BA03
, 5G321CA04
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321CA41
, 5G321DB37
引用特許:
審査官引用 (2件)
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酸化物超電導導体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-214806
出願人:超電導発電関連機器・材料技術研究組合
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超電導薄膜材料およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-140172
出願人:住友電気工業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター
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