特許
J-GLOBAL ID:201103080246124504
表示装置および携帯端末装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-366340
公開番号(公開出願番号):特開2003-169466
特許番号:特許第3687597号
出願日: 2001年11月30日
公開日(公表日): 2003年06月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 画素トランジスタとして薄膜トランジスタを用いた画素がガラス基板上に行列状に配列されてなる画素部と、内部回路電源電圧に基づいてこれと電圧値が異なる電源電圧を発生する電源発生手段とを備えた表示装置であって、 前記電源発生手段は、 クロックパルスに同期して充放電動作を繰り返すチャージポンプ手段と、 前記チャージポンプ手段の出力電圧を分圧する分圧手段と、 前記分圧手段による分圧電圧と基準電圧とを比較するコンパレータを有し、当該コンパレータの比較結果に基づいて前記チャージポンプ手段に対する前記クロックパルスの供給/遮断を制御するレギュレーション手段と、 前記分圧手段および前記コンパレータの少なくとも一方を1水平走査期間内の一定期間のみアクティブ状態とする制御手段とを有し、 前記画素部と同一のガラス基板上に当該画素部と同一プロセスにて薄膜トランジスタを用いて形成されている ことを特徴とする表示装置。
IPC (4件):
H02M 3/07
, G09G 3/20
, G09G 3/36
, H04B 7/26
FI (6件):
H02M 3/07
, G09G 3/20 611 A
, G09G 3/20 612 D
, G09G 3/20 680 T
, G09G 3/36
, H04B 7/26 X
引用特許:
審査官引用 (3件)
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MOSFET駆動回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-043422
出願人:ローム株式会社
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-062299
出願人:三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社, 三菱電機システムエル・エス・アイ・デザイン株式会社
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半導体集積回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-266144
出願人:株式会社東芝
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