特許
J-GLOBAL ID:201103080264555989
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-052763
公開番号(公開出願番号):特開2000-252284
特許番号:特許第3628541号
出願日: 1999年03月01日
公開日(公表日): 2000年09月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】段差部を有する配線形成面と,エッチャントによりパターニングされ,前記配線形成面に形成される電気配線とを備える半導体装置であって:前記段差部は,前記配線に覆われる第1面,第2面及び中継面からなるクランク部を有し, 前記第1面及び前記第2面のそれぞれに対して前記中継面は, 前記第1面及び前記第2面のそれぞれに対して前記中継面がクランク角90度以下で形成された場合の前記第1面及び前記第2面の長さより,前記第1面及び前記第2面の長さが長くなるようなクランク角で形成されることを特徴とする,半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/3205
, H01L 21/768
FI (2件):
H01L 21/88 B
, H01L 21/90 B
引用特許:
出願人引用 (3件)
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化合物半導体素子の配線方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-298171
出願人:三洋電機株式会社
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特開平4-360534
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-287720
出願人:日本電気株式会社
審査官引用 (3件)
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化合物半導体素子の配線方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-298171
出願人:三洋電機株式会社
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特開平4-360534
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-287720
出願人:日本電気株式会社
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