特許
J-GLOBAL ID：201103080329160294
歪みSiCMOS構造の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224086
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094060
特許番号：特許第3737721号
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 その構造内に歪みSi層が形成されているCMOS構造を製造する方法であって、
(a)基板の表面に緩和SiGe層を形成するステップと、
(b)前記ステップ(a)の後、前記緩和SiGe層内に分離領域およびウェル打込み領域を形成するステップと、
(c)前記ステップ(b)の後、前記緩和SiGe層の上に歪みSi層を形成するステップとを含む方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 B
, H01L 27/08 321 C
, H01L 29/78 618 E
, H01L 29/78 618 B
