特許
J-GLOBAL ID：201103080465395939

電界効果トランジスタ

発明者：
秋元 健吾

秋元 健吾 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-274254
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142315
出願日： 2010年12月09日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：
【課題】キャリア濃度の制御性および安定性に優れ、かつ、低コストである酸化物半導体材料の提供ならびにこれを用いた電界効果トランジスタの提供を目的とする。【解決手段】インジウムとシリコンと亜鉛を含む酸化物を酸化物半導体材料として用いる。このとき、酸化物半導体膜中におけるシリコンの含有量は、4mol%以上8mol%以下とする。このようなIn-Si-Zn-O膜を用いた電界効果トランジスタは、高温の熱処理に耐えられ、かつ、-BTストレスに対し有効である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を備え、 前記酸化物半導体膜は、インジウムとシリコンと亜鉛を含む酸化物であり、 前記酸化物半導体膜中におけるシリコンの含有量は、4mol%以上8mol%以下であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/363
FI (2件)：
H01L29/78 618B ,  H01L21/363
Fターム (47件)：
5F103AA08 ,  5F103BB05 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL08 ,  5F103LL13 ,  5F103PP11 ,  5F103RR05 ,  5F103RR07 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22
引用特許：
審査官引用 (2件)

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