特許
J-GLOBAL ID：200903007414040241

電界効果型トランジスタ

発明者：
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について

, 
板垣 奈穂

板垣 奈穂 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-146890
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081413
出願日： 2008年06月04日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】少ない元素数から構成されるアモルファス酸化物を用い、低い作製温度で作製することができ、かつ、大気中保管などの環境安定性に優れた電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】ゲート電極15と、ソース電極13と、ドレイン電極14と、チャネル層11と、を備え、ゲート電極15に電圧を加えて、ソース電極13とドレイン電極14の間に流れる電流を制御する電界効果型トランジスタにおいて、チャネル層11を構成するアモルファス酸化物がInとSiを含み、Si/(In+Si)で表される組成比率が0.05以上0.40以下である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、チャネル層と、を備え、 前記ゲート電極に電圧を加えて、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に流れる電流を制御する電界効果型トランジスタにおいて、 前記チャネル層を構成するアモルファス酸化物がInとSiを含み、Si/(In+Si)で表される組成比率が0.05以上0.40以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T
Fターム (30件)：
5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM