特許
J-GLOBAL ID：201103080494405935
半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-606043
特許番号：特許第3846550号
出願日： 2000年03月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の電極が形成されてなる半導体素子と、
前記電極と電気的に接続される配線パターンと、
前記配線パターンと電気的に接続してなる外部端子と、
を有してなり、
前記配線パターン上の、前記外部端子の周囲には、前記配線パターンに近い側を下とし、前記配線パターンから離れる方向を上として、複数層の絶縁層が形成されてなる半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 21/92 602 K
, H01L 21/92 603 G
, H01L 23/12 501 P
