特許
J-GLOBAL ID：200903016522161194

半導体装置およびその製造方法

発明者：
佐原 隆一

佐原 隆一 について

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下石坂 望

下石坂 望 について

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中村 嘉文

中村 嘉文 について

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隈川 隆博

隈川 隆博 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-107617
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307563
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 フリップチップ実装の半導体装置において、樹脂封止後、半導体素子の故障が発見された場合、封止樹脂と樹脂回路基板の密着が強固なため、リペアができないという課題があった。【解決手段】 半導体素子5上の半導体素子電極6から延在した金属配線層7と、半導体素子5および金属配線層7上に形成された絶縁樹脂層8と、突起電極が形成された半導体装置であり、この構成により基板実装の際、半導体装置と樹脂回路基板との熱線膨張係数の不一致による突起電極部にかかる熱ストレスを緩和することができるものである。
請求項（抜粋）：
半導体素子と前記半導体素子の電極から延在した金属配線層と、前記半導体素子および金属配線層上に形成された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層表面と前記金属配線層を電気的に接続した金属層と、前記金属層上に形成された突起部材と、前記突起部材の表面と前記金属層とを電気的に接続する金属コートを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (4件)：
H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 D ,  H01L 21/92 602 Z
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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