特許
J-GLOBAL ID:201103080543935678

固体撮像装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 野河 信太郎 ,  小池 隆彌
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-149107
公開番号(公開出願番号):特開2000-340783
特許番号:特許第3824446号
出願日: 1999年05月28日
公開日(公表日): 2000年12月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】光電変換部と該光電変換部で発生した電荷信号を転送する電荷転送部とが形成された半導体基板の上記電荷転送部上に絶縁膜を介してゲート電極を形成した後、上記光電変換部及び電荷転送部を覆うように、層間絶縁膜を形成し、上記光電変換部上の該層間絶縁膜に溝を設け、該溝内に遮光膜を形成する工程を有する、固体撮像装置の製造方法において、 上記ゲート電極を形成した後、上記光電変換部及び電荷転送部を覆うように、上記層間絶縁膜のエッチングの際のエッチングストップ膜を形成する工程と、 上記エッチングストップ膜の上記光電変換部上の一部領域を除去する工程と、 上記層間絶縁膜を形成し、その後、該層間絶縁膜を平坦化する工程と、 上記光電変換部上領域の一部と上記ゲート電極上領域の一部とを含む領域が開口した所定の形状のレジストパターンをマスクとして用いて上記層間絶縁膜を、上記エッチングストップ膜表面が露出するまでエッチングを行うことにより、上記溝を形成する工程と、 上記溝内の上記エッチングストップ膜を除去した後、上記溝に遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 27/148 ( 200 6.01) ,  H04N 5/335 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F
引用特許:
出願人引用 (2件)

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