特許
J-GLOBAL ID：200903033832333930

固体撮像素子とその製造方法

発明者：
原田 耕一

原田 耕一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230734
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074925
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】 遮光膜の張り出し量が同じでも従来よりもスミアを有効に防止することができ、且つ画像欠陥の発生するおそれをなくす。【解決手段】 垂直転送電極21上を覆う絶縁膜23上のPSG膜28a上にシリコンナイトライド膜27を、垂直転送電極21の上面上を覆う位置にて形成し、次いで、PSG膜28aの各受光素子上の部分を、受光素子24周辺部を残しマスク膜29で覆い、これをマスクとしてPSG28aをエッチングにより除去し、その後、PSG膜28bを形成し、PSG膜28a、bを熱処理し、その後、遮光膜30を形成する。
請求項（抜粋）：
転送電極の表面に絶縁膜を介してあるいは絶縁膜と層間絶縁膜を介してシリコンナイトライド膜を有し、上記シリコンナイトライド膜上に上記層間絶縁膜とは別の層間絶縁膜を介して形成された遮光膜を有し、層間絶縁膜の少なくとも受光素子周辺部上における厚さが受光素子中央部上における厚さよりも薄くされ、上記遮光膜の周辺部が上記層間絶縁膜の上記厚さを薄くされた部分内に及んでいることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/148
FI (2件)：
H01L 27/14 D ,  H01L 27/14 B
引用特許：
審査官引用 (6件)
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