特許

J-GLOBAL ID：201103080624851070

半導体装置の製造方法

発明者： 中尾 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (3件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149266
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340682
特許番号：特許第3911658号
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上にゲート絶縁膜を形成してから金属ナノクリスタルの材料である金属のイオンを該ゲート絶縁膜中に注入する工程と、 ゲート或いはゲート及びサイド・ウォールをマスクとしてソース領域及びドレイン領域を構成する不純物のイオンを該基板中に注入する工程と、 熱処理を行って該ゲート絶縁膜中にイオン注入された金属のナノクリスタル化及び該基板中にイオン注入された不純物の活性化を同時に実施する工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/06 601 N

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-106068
  
• 単一電子装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-159281   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-175078   出願人：日本鋼管株式会社
• 半導体ナノ結晶の製造方法およびその半導体ナノ結晶を用いた半導体記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-266986   出願人：シャープ株式会社