特許

J-GLOBAL ID：201103080719433305

半導体装置

発明者： 國司 昌利
出願人/特許権者： 旭化成エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307535
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115543
特許番号：特許第3916910号
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に、回路と、該回路に接続される出力電極と、を配置した半導体装置であって、 前記出力電極は前記半導体基板の同一ウエル上に絶縁層を介して配置された第1及び第2の電極からなり、 前記回路からの差動出力が前記第1及び第2の電極にそれぞれ接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-022456
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-079496   出願人：日本電気株式会社
• 自動配置配線方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-059567   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ