半導体装置のキャパシタ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047558
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252421
特許番号：特許第4159692号
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上にフィールド酸化膜を介して下部電極が被着されたMIM構造の半導体装置のキャパシタにおいて、前記フィールド酸化膜は、少なくとも前記半導体基板の前記下部電極に重畳する範囲に平面視格子状のトレンチと、該トレンチ内に充填された絶縁物とからなる格子状絶縁層を有することを特徴とする半導体装置のキャパシタ。

IPC (2件)：