特許
J-GLOBAL ID:201103081234351170

基板処理方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 井上 俊夫 ,  水野 洋美
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-063192
公開番号(公開出願番号):特開2001-250767
特許番号:特許第4054159号
出願日: 2000年03月08日
公開日(公表日): 2001年09月14日
請求項(抜粋):
【請求項1】基板を搬送口を介して筐体に搬入し、更にこの筐体内に設けられた処理容器内の載置部に載置する工程と、 この筐体内に不活性ガスを供給しながら排気して筐体内を不活性ガス雰囲気とする工程と、 前記載置部に保持された基板に対して付着物を除去するための光を光源から照射すると共に、当該光源と基板との間を不活性ガス雰囲気にする工程と、 次いで前記載置部に保持された基板に対して疎水化処理を行うために疎水化処理ガスを前記処理容器内に供給する工程と、 その後、前記基板を筐体から搬出し、前記基板の表面にレジスト液を塗布する工程と、 レジスト液の塗布された基板に対して露光処理を行う工程と、 露光後の基板を現像処理してレジストパターンを得る工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  B05C 9/12 ( 200 6.01) ,  B05D 1/40 ( 200 6.01) ,  G03F 7/38 ( 200 6.01)
FI (5件):
H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 562 ,  B05C 9/12 ,  B05D 1/40 A ,  G03F 7/38 501
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 有機物除去装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-229727   出願人:株式会社日立製作所
  • 微細加工方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-064778   出願人:富士通株式会社

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