特許
J-GLOBAL ID：200903081472760063
微細加工方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064778
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312257
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 短時間で簡単且つ効果的に被処理基板表面の均一性を向上でき、そのため基板と種々の薄膜間の密着性を改善でき、レジスト膜の現像不良の防止やパターン形状の改善を実現できる微細加工方法と装置を提供する。【解決手段】 被処理基板130上に遠紫外から真空紫外領域の波長で半値幅30nm以下の単色光139を全面照射処理する。単色光は±15%以内の照度分布で照射するのが好ましい。
請求項（抜粋）：
微細パターンを形成する前又は形成した後の被処理基板上に遠紫外から真空紫外領域の波長で半値幅30nm以下の単色光を全面照射処理する工程を含むことを特徴とする微細加工方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 573
, H01L 21/30 565
