結晶系IV族半導体の非晶質化方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-133391
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323426
特許番号：特許第3662441号
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】結晶系IV族半導体の所定領域に電子エネルギーEが0.5MeV以上で電子線を照射する際に、照射線量Dを1×1022電子/cm2 以上とし、その照射線量Dに応じて照射温度Tを150K以下で、結晶系IV族半導体が非晶質化する低温とすることを特徴とする結晶系IV族半導体の非晶質化方法。

IPC (1件)：