特許
J-GLOBAL ID：201103081641496069
半導体装置の製造方法及び製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
特許業務法人 日東国際特許事務所
, 小川 勝男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-252830
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077066
特許番号：特許第3749637号
出願日： 1999年09月07日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(1)粒子を含有する廃液から水分を除去して濃縮する工程と、
(2)濃縮された廃液から液体サイクロンにより10μmより大なる粒子を除去する工程と、
(3)前記液体サイクロンにより分別された廃液をフィルタを介して1μmより大きい粒子を除去し、1μm以下の粒子を含有する液体として分離回収する工程と、
(4)前記分離回収された液体中の粒子濃度を所定濃度に調整し再生する工程と、
(5)前記再生された液体を半導体製造装置に送給する工程とを備えた廃液の再生処理工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記(1)の廃液から水分を除去して濃縮する工程においては、濃縮後の水分量が5〜50%となるように水分を除去して濃縮する工程となし、
前記(3)のフィルタを介して1μm以下の粒子を含有する液体として分離回収する工程においては、1〜10%の水分を含有する不活性ガスの加圧下で前記液体をフィルタに押圧して分離回収する工程となし、
前記(4)の粒子濃度を所定濃度に調整し再生する工程においては、粒子濃度を5〜30%に調整し再生する工程となし、
前記(5)の再生された液体を半導体製造装置に送給する工程においては、前記液体に脈動を生じさせずに定常流で送給する工程となしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B01D 36/02 ( 200 6.01)
H01L 21/304 622 E
, B01D 36/02
