特許
J-GLOBAL ID:201103082050944638

薄膜製作方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  原 裕子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-501887
公開番号(公開出願番号):特表2011-515588
出願日: 2009年03月11日
公開日(公表日): 2011年05月19日
要約:
形成されたフィルム形態をナノ粒子塊のものから粒子およびドロップレットの無い平滑な薄膜に連続的に調整することが可能なパルスレーザー蒸着(PLD)の方法。発明の様々な実施形態を使って合成されることができる材料は、金属、合金、酸化金属および半導体を含むが、それらに限定はされない。様々な実施形態において、超短パルスレーザーアブレーションおよび蒸着の「バースト」モードが提供される。フィルム形態の調整は、各バースト内のパルス数およびパルス間の時間間隔、バースト繰り返しレート、およびレーザーフルエンスのようなバーストモードパラメータを制御することによって達成される。システムは、超短パルスレーザーと、適切なエネルギー密度でターゲット表面上にフォーカスされたレーザーを配送するための光学システムと、その中にターゲットおよび基板が設置され背景ガスとそれらの圧力が適切に調節された真空チェンバーと、を含む。
請求項(抜粋):
a)レーザーパルスのバーストを使ってレーザーアブレーションを行うことであって、前記バーストの各々は、真空チェンバー内で、後続のレーザーパルスと前のパルスによってターゲット材料のアブレーションを介して生成されたプラズマとの間に相互作用を作り出すように選択されたパルス分離をもった少なくとも二つのパルスを有するレーザーパルスのパルストレインからなることと、 b)前記真空チェンバー内の前記「バーストモード」のレーザーアブレーションによって生成されたプラズマストリーム中に基板を置くことによって薄膜を形成するようにアブレーションされた材料を基板上に蒸着することと、 を含む薄膜材料のパルスレーザー蒸着方法。
IPC (2件):
C23C 14/28 ,  H01L 21/285
FI (2件):
C23C14/28 ,  H01L21/285 P
Fターム (18件):
4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA06 ,  4K029BA12 ,  4K029BA43 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BB09 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029DB05 ,  4K029DB10 ,  4K029DB20 ,  4K029EA09 ,  4K029JA02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104DD35
引用特許:
審査官引用 (2件)

前のページに戻る