特許
J-GLOBAL ID：201103082052304733
磁気抵抗素子の製造方法ならびに磁気部品の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
池内 寛幸
, 佐藤 公博
, 鎌田 耕一
, 乕丘 圭司
, 辻丸 光一郎
, 黒田 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-500351
特許番号：特許第3688638号
出願日： 2000年05月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】磁気抵抗素子の製造方法であって、前記磁気抵抗素子は、基板と、第1の磁性層と、高抵抗層と、第2の磁性層とを順に備え、前記高抵抗層は、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間にトンネル電子を流す障壁であり、かつ、酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも1つの元素LONCを含み、前記第1の磁性層が、Fe、NiおよびCoから選ばれる少なくとも1つの金属元素Mと前記金属元素Mとは異なる元素RCPとを含み、前記元素RCPは、前記金属元素Mと比較して前記元素LONCとエネルギー的に結合しやすい元素であり、元素RCPが、Si、Ge、Al、Ga、Cr、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、MgおよびCaから選ばれる少なくとも1つの元素であり、前記第1の磁性層は、前記金属元素Mと前記元素RCPとを含む合金からなり、前記磁気抵抗素子の製造方法は、(a)前記基板上に配置された前記第1の磁性層と、前記第1の磁性層上に配置され酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも1つの元素LONCを含む前記高抵抗層とを形成する工程(a)と、(b)前記高抵抗層上に前記第2の磁性層を形成する工程(b)とを含み、工程(a)は、前記第1の磁性層を前記基板上に配置する工程(a-1)、前記第1の磁性層の上にAl層を形成する工程(a-2)、および前記Al層を酸化、窒化、または炭化させて前記高抵抗層を形成する工程(a-3)を含み、前記(a-1)の工程において、前記第1の磁性層は、前記元素RCPが前記高抵抗層側で高濃度になるように蒸着法またはスパッタリング法によって形成されることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/08 M
, G11C 11/15
