特許
J-GLOBAL ID：201103082129152532
多層構造の半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232388
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057368
特許番号：特許第3626044号
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】中層の同一配線層で形成されチップを周回するVDDおよびGND配線層であって内部領域にVDDおよびGNDを供給するための内部供給用VDD周回電源層及び内部供給用GND周回電源層を備え、前記内部供給用VDD周回電源層及び前記内部供給用GND周回電源層以下の層の配線層でVDDおよびGNDが内部回路に接続されている多層構造の半導体装置において、前記内部供給用VDD周回電源層及び前記内部供給用GND周回電源層の両方を覆い重ねるように形成・周回された最上位層VDD用周回電源層と、この最上位層VDD用周回電源層に接続された内部領域引出しVDD用電源線と、前記内部供給用GND周回電源層に接続された内部領域引出しGND用電源線と、を有することを特徴とする多層構造の半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H01L 21/88 B
, H01L 27/04 B
