特許
J-GLOBAL ID：201103082348205560
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
原田 洋平
, 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-069023
公開番号（公開出願番号）：特開2011-204808
出願日： 2010年03月25日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】容易に、ソース電極の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることを目的とする。【解決手段】凹構造17の底面のみならず側面にもボディコンタクト層18を形成することにより、ボディコンタクト層18とウェル層12との接触面積が増加し、ボディコンタクト層18へ注入する不純物の注入量を抑制することができるため、容易にソース電極20の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成される第1導電型のドレイン層と、
前記ドレイン層の表面に形成される第2導電型のウェル層と、
少なくとも前記ウェル層中に形成されて内面にゲート絶縁膜が形成されるトレンチと、
前記トレンチ内部に形成されるゲート電極と、
前記ウェル層表面に前記トレンチと接して形成される第1導電型のソース層と、
前記ソース層を挟んで前記トレンチと対向する前記ウェル層表面領域に形成される凹構造と、
前記凹構造の底面および側面の前記ウェル層表面に形成される第2導電型のボディコンタクト層と、
前記ゲート電極を覆う絶縁膜と、
前記ソース層および前記ボディコンタクト層を含む全表面に形成されるソース電極と、
前記半導体基板の裏面に形成されるドレイン電極と
を有し、前記ウェル層の第2導電型不純物濃度が第1導電型のドレイン層の不純物濃度より高く、前記第1導電型のソース層の不純物濃度と前記第2導電型のボディコンタクト層の不純物濃度が、前記ウェル層の第2導電型不純物濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 652D
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658A
